四川变压器RCD吸收电路解析

四川变压器RCD吸收电路解析 RCD电路在四川变压器中能够较大程度的吸收电阻，从而起到降低损耗的作用。但是四川变压器当中的RCD吸收电路较为复杂，新手如果想要在短时间内掌握是比较困难的，所以中能四川变压器厂家就将对四川变压器当中的RCD吸收设计进行讲解。 MOS电压尖峰的吸收电路有很多种，比如RCD，RDTVS，RCD+TVS等，但常用的是前两者，所以将着重讲一下前面两种形式的参数设计。 即如下两图形式： 图1 图2 开始设计电路参数之前，我们先定义一下变量含义以便下面描述： Lr：初级漏感电感量： Vcmax、Vcmin、Vcavg、△Vc：RCD中C(如上图1种的C1)两端的峰值电压，谷底电压，平均电压，峰值电压和谷底电压的差值，(由定义有，△Vc=Vcmax-Vcmin： Vcavg=Vcmin+△Vc/2) Vtvs：如上图2中的TVS的击穿电压。 f:四川变压器的工作频率(已知) Ipk：变压器初级峰值电流(关于Ipk的确定，我们在设计变压器时已定下，当然也要在低压满载情况下实测，某些IC自带限流点则简单点) Vdsmax：主管MOS的******额定电压。 Vor：次级反射到初级的反射电压。 有了以上变量定义，下面我们开始转入正题： 1、测量主变压器的初级漏感电感量Lr 这两种钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主管的电压应力，既然是吸收漏感的能量，显然我们要知道变压器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此******步我们就要测量变压器的漏感Lr。 2、计算漏感能量E E=1/2*Lr*Ipk² 3、确定Vcmax或Vtvs 一般我们至少要给MOS电压应力留有10%的裕量，保守情况留有20%的裕量，尤其是没有软启动切功率相对较大的四川变压器里，变压器厂家这里我们取20%的裕量。所以就有Vcmax(Vtvs)=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。 4、确定△Vc，Vcavg，Vcmin(TVS方案无此步骤) RCD电路中C1两端电压是变化的，主关断时漏感能量迅速将其充电至Vcmax，然后通过R慢慢放电到Vcmin。这个△Vc一般我们会设计在10%-15%Vcmax左右。有了△Vc即可得到Vcavg，Vcmin。 5、确定R2大小 在第二步中我们已经计算出了漏感能量，假设我们的漏感能量全部被转移到C1(或被TVS消耗掉)中，那么R2上必然消耗掉这些能量。当然，漏感的能量不会全部转移到C1中或被TVS消耗掉，但是作为一个理论设计指导，此假设是合理的(假设误差由实际测试结果来调整)。 所以，Vcavg²/R=E*f 由此式即可计算出R2的大小，亦可得出R2的功率要求，一般要保证R2的功率要大于此功率(E*f)的1.5-2.5倍。若为TVS则，TVS的功率也要和电阻的功率要求一样，要大于1.5-2.5*E*f。 6、确定C1的大小 由第五步中的假设，可知：E=1/2*C1*(Vcmax²-Vcmin²)所以C1大小可求出。至此我们分析了R2，C1，ZD1(TVS)的设计流程，还有R1和D1的要求了。 7、R1可以改善EMI，同时限制D1的反向恢复电流，小功率四川变压器中常用。 一般我们会选取几十Ω左右，当然功率越大，Ipk越大，此电阻的损耗越大，所以要取的越小，此电阻取几Ω即可，甚至不要此电阻。四川变压器中慎用此电阻。 功耗要大于Ipk²*R1 8、D1一般用快恢复或超快恢复二极管 二极管电流电压按一般裕量原则1.5Ipk，1.5Vcmax即可，功耗要求大于1/2*Ipk*Vf(DCM模式)，CCM模式1/2*Ipk替换为初级平均电流即可，主要还是看此二极管的发热量。关于D1用慢管的运用，一定要配合好R1且在小功率场合。

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